模塊工作狀態(tài)和工作參數(shù)一目了然，通過RS485接口，在系統(tǒng)主監(jiān)控工作時，模塊接收主監(jiān)控發(fā)出的工作參數(shù)，無主監(jiān)控器時，可以在模塊面板上方便的設(shè)置模塊工作參數(shù)。

軟件校準(zhǔn)技術(shù)：傳統(tǒng)模塊參數(shù)整定都采用電位器整定，但存在固有缺陷，如電位器漂移問題以及現(xiàn)場調(diào)整不便等問題；我公司生產(chǎn)的STD10A230X模塊采用軟件校準(zhǔn)技術(shù)，模塊內(nèi)部沒有一個電位器，通過按鍵和LCD顯示可以校準(zhǔn)模塊輸出電壓、輸出限流、電壓測量、電流測量，模塊參數(shù)整定方便快捷。

自主均流技術(shù)：模塊采用自主均流技術(shù)，模塊間均流偏差小于3%；

ZVS軟開關(guān)技術(shù)：為了使開關(guān)電源能夠在高頻下高效率地運行，我公司不斷研究開發(fā)高頻軟開關(guān)技術(shù)，已開發(fā)成功ZVS邊緣諧振技術(shù)，使開關(guān)過程損耗大為降低，從而進一步減小體積、減輕重量、極大提高模塊性能。

ZVS軟開關(guān)優(yōu)點

開關(guān)損耗小

可實現(xiàn)高頻化（極限頻率可做到1-2MHz）、開關(guān)過程在平滑狀態(tài)下實現(xiàn)

恒頻運行，諧波成份小

無吸收電路

電流、電壓應(yīng)力小

1．2   ZVS軟開關(guān)基本原理

功率MOSFET損耗由三部分組成：開通損耗、關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗，硬開關(guān)在開關(guān)過程中電壓和電流同時變化，即存在高壓大電流的狀態(tài)，此時損耗很大，一般需要加吸收電路減小開關(guān)損耗，另外在關(guān)斷過程中，Vds會出現(xiàn)過沖，對功率管有較大的損害。

ZVS軟開關(guān)開關(guān)過程中開通時Vds降到0V時電流上升，關(guān)斷時電流降到0A時Vds上升，因而理論上無開關(guān)損耗，實際中Vds和電流變化有一定的重疊，但開關(guān)損耗和硬開關(guān)相比較大大降低。

ZVS軟開關(guān)的電壓和電流的變化平滑，VDS無過沖，因而輸出諧波成份小、電磁干擾小。